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Intrinsic phonon decoherence and quantum gates in coupled lateral quantum dot charge qubits

机译:耦合横向中的内禀声子退相干和量子门   量子点电荷量子比特

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摘要

Recent experiments by Hayashi et al. [Phys. Rev. Lett. 91, 226804 (2003)]demonstrate coherent oscillations of a charge quantum bit (qubit) in laterallydefined quantum dots. We study the intrinsic electron-phonon decoherence andgate performance for the next step: a system of two coupled charge qubits. Theeffective decoherence model contains properties of local as well as collectivedecoherence. Decoherence channels can be classified by their multipole moments,which leads to different low-energy spectra. It is shown that due to thesuper-Ohmic spectrum, the gate quality is limited by the single-qubit Hadamardgates. It can be significantly improved, by using double-dots with weak tunnelcoupling.
机译:Hayashi等人的最新实验。 [物理牧师91,226804(2003)]展示了横向定义的量子点中电荷量子位(qubit)的相干振荡。我们研究下一步的固有电子声子退相干和门性能:两个耦合电荷量子位的系统。有效的退相干模型包含局部和集体退相干的属性。退相干通道可以通过其多极矩进行分类,从而导致不同的低能谱。结果表明,由于超欧姆谱,门的质量受到单量子位哈达玛德门的限制。通过使用弱隧道耦合的双点可以显着改善它。

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